Защелкивание КМОП-структур

Опубликовано в рубрике "Детали", 29 августа, 2012.
Тэги: , автор:

На форуме попросили рассказать про это явление. К сожалению, много оговорок, нужно меньше за компом сидеть, но чем богаты тому и рады Улыбка

image

 

 

Хороший документ от TI на тему

Документ от Fairchild (больше разбирается структура микросхем)




Комментарии
  1. webkirov написал(а) 29 августа, 2012 в 22:33

    Вот еще небольшая заметка по-русски: http://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2000_07_78.pdf

  2. Sanchez написал(а) 30 августа, 2012 в 0:41

    А на сколько действительно защелкивания актуальны в быту, если так откровенно не косячить с землей или нагрузками, как в примерах?

    BSVi Reply:

    Ну, вот misterio на форуме, похоже, нарвался. Я нарывался. Вообщем, происходят довольно часто.

    misterio Reply:

    и похоже я не первый раз уже нарываюсь. давным давно что то похожее могло происходить, правда тогда я не слышал про защелкивание и даже не знал чего почитать.

  3. Roman написал(а) 1 сентября, 2012 в 16:56

    Кроме земли и защитных диодов можно использовать 1 стабилитрон (катод на питании, анод на земле), с напряжением пробоя равному напряжению питания. Я так обычно делаю, проблем нет.

    BSVi Reply:

    Нельзя использовать один стабилитрон — падение на нем в любом из направлений превышает падение на pn переходе.

    Roman Reply:

    На открытом стабилитроне не больше 0,5-0,7 В. При пробое (на малых токах) не будет больше Uст+0,5 (для цепей +5,+15)

    BSVi Reply:

    Напряжение в прямом направлении равняется минимум одному падению на переходе, так как это и есть переход. Напряжение в обратном направлении сильно зависит от тока и определяется динамическим сопротивлением стабилитрона. К примеру, 1N5231B нужно 29мА, чтобы напряжение изменилось на 0.5в. Вообщем, стабилитроны для защиты от защелкивания использовать бесполезно.

    Roman Reply:

    Не вижу логики.
    Ты сам ранее писал что «в любом из направлений превышает падение на pn переходе». Это p-n-переход, и выше не будет.

    Защёлкивание происходит именно при напряжении больше.

    Roman Reply:

    Единственно, проблема может возникнуть при низком быстродействии стабилитрона, которое конечно меньше, чем диода Шоттки.

    BSVi Reply:

    Переход переходу рознь, падение на силовом переходе обычно больше, чем на малоточном. Защелкивание может произойти и при напряжении больше питания и меньше нуля.

    Roman Reply:

    С этим я согласен. Но всё же при правильно подобранном стабилитроне проблема решается.

  4. lexa_f_68 написал(а) 2 ноября, 2012 в 15:00

    ребята я новенький на этом сайте поэтому не судите строго у меня такой вопрос нашел на днях микросхему на ней написно с верху W 4 а внизу 861в инете на нее инфы нет вы уж простите чтоя именно тут пишу.я тоже вожусь с теслой но вот иногда думаю можно теслу сделать на к.з катуше зажигания можно на строчнике и на моте но пока у меня работает транзисторная тесла и на к.з. найду мот сделаю на нем

  5. lexa_f_68 написал(а) 2 ноября, 2012 в 15:01

    а вы что посоветуете для теслы ?

  6. Geodx написал(а) 11 февраля, 2013 в 18:47

    Сергей, подскажите пожалуйста.
    Я сейчас конструирую индукционный нагреватель по вот этой схеме: http://www.icct.ru/Practicality/Papers/05-07-2010/Invertor-02.php

    Схема работает нормально, но у меня иногда сгорают драйвера мосфет-транзисторов (ни с того, ни с сего).
    Как Вы думаете, может ли это происходить из-за явления защёлкивания? Там же как раз индуктивность на выходах стоит.
    Не помешает ли поставить на вход и выход микросхем драйверов диоды Шоттки?

    Заранее спасибо!

    BSVi Reply:

    Могут и из-за защелкивания, хотя бывают и другие причины. Лучше всего, посмотреть что там происходит осциллографом.

  7. Geodx написал(а) 11 февраля, 2013 в 18:49

    Если не помешает, какие шоттки Вы можете посоветовать?

    BSVi Reply:

    SS16

Создать новую ветку комментариев


Вы должны войти или зарегистрироваться чтобы оставить комментарий.